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IPW60R070P6XKSA1 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IPW60R070P6XKSA1

 

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)       600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  53.5A(Tc)

驱动电压( Rds On,Rds On)      10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)   70毫欧 @ 20.6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值)  4.5V@ 1.72mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)    100nC @ 10V

Vgs(值)     ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)    4750pF @ 100V

FET 功能       -

功率耗散(值)    391W(Tc)

工作温度       -55°C~ 150°C(TJ)

安装类型       通孔

供应商器件封装    PG-TO247-3

封装/外壳      TO-247-3

 

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