美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）的数字信号控制器（DSC）与宜普电源转换公司（EPC）的超高效氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）的结合，可实现 佳功率密度（730 W/in³），从而实现高效、低成本的DC-DC转换。

EPC公司宣布推出1/16砖式、300 W DC/DC稳压器（EPC9143）。 EPC9143功率模块把Microchip dsPIC33CK数字信号控制器（DSC）和 新一代eGaN FET（EPC2053）集成在一起，实现25 A、48 V/12 V和96％效率的功率转换。

500 kHz开关频率在非常小的1/16砖式转换器实现300 W功率，其尺寸仅为33 毫米 x 22.9 毫米（1.3 x 0.9英寸）。

可扩展的两相设计可以增加相数，从而进一步提高功率。 由于Microchip数字控制器具有高灵活性，因此允许在8 V至72 V范围内调节输入电压，而输出电压在3.3 V至25 V范围内。

砖式DC/DC转换器广泛用于数据中心、电信和汽车应用，可将48 V标称电压转换为12 V配电总线输出电压。 鉴于给定的外形尺寸，业界的主要趋势是朝着需要更高的功率密度方向发展。 其中一个主要应用，是高密度48V/12V负载点（POL）转换器，需要12V输出的稳压功率，例如用于通用PCIe卡和存储。

eGaN^®FET和集成电路具备快速开关、小尺寸和低成本等优势，能够以少元件数量和低成本满足这些前沿应用对功率密度的严格要求。

EPC 执行官Alex Lidow表示：“先进的计算应用对功率转换器的要求越来越高，但硅基功率转换器在性能方面未能满足这些要求。我们很高兴与这个领域的 供应商Microchip公司合作，为客户提供灵活的解决方案，从而为48 V转换提高效率、增加功率密度和降低系统总成本。”

Microchip MCU16业务部副总裁Joe Thomsen表示：“Microchip的dsPIC® DSC可以进行编程以充分发挥氮化镓场效应晶体管的性能。我们很荣幸与EPC公司合作，为我们的客户提供这种基于氮化镓器件的参考设计。 EPC的氮化镓技术与我们的dsPIC33CK控制器相结合，使工程师能够显着提高功率密度，从而满足各种先进计算和电信应用的苛刻要求。”