UMS推出了一款三阶单片低噪声放大器，产品型号为CHA2193-99F，频率范围是20-30GHz。 该产品采用芯片背面处射频和直流同时接地的方案，能够简化客户的安装使用程序。该产品能够广泛应用在国防及商用通信系统中，目前以芯片形式供应。该产品采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.25微米，金属化孔穿过介质衬底，采用空气桥以及电子束光刻技术。图一为CHA2193-99F的内部电路原理框图。

图一 CHA2193-99F的内部电路原理框图

CHA2193-99F的噪声系数典型值为2.0dB，较低的噪声系数有利于系统取得较好的灵敏度。小信号增益典型值为18dB，相较于同系列的CHA2190，增益提升了20%。由于低噪放通常作为接收链路的 有源电路，它的增益提升有助于减小后级链路额噪声对整个系统噪声的贡献，从而减小整体系统的噪声系数。

小信号增益平坦度在20-30GHz的频率范围内为±1dB，在24-26GHz的窄带范围内提升至±0.5dB。产品拥有较好的反向隔离度，在全频带内的典型值为30dB， 小值为25dB。1dB压缩点处的输出功率典型值为8dBm。拥有较好的端口匹配，输入/输出端口的驻波比典型值均为2.0:1，在24-26GHz的窄带频率范围内，提升至典型值1.8:1。功耗小，直流功耗低至60mA@3.5V。

该产品的 大峰值输入功率为+15dBm，栅极电压范围是-2.0V到+0.4V。产品的拥有较宽的工作温度范围，覆盖-40℃到+85℃，贮存温度范围是-55℃到+155℃。芯片的尺寸为2.07×1.03×0.10mm，CHA2193-99F的装配使用图如图二所示。直流偏置电路需要使用旁路电路滤除杂波，同时建议采用直径25微米的金丝引线键合。

图二 CHA2193-99F 的装配使用图

CHA2193-99F的主要特性：

· 频率范围：20-30GHz

· 噪声系数典型值：2dB

· 1dB压缩点功率：8dBm

· 小信号增益典型值：18dB

· 增益平坦度：±1dB（20-30GHz）；±0.5dB（24-26GHz）

· 低直流功率耗散：60mA@3.5V

· 芯片尺寸：2.07×1.03×0.10mm

CHA2193-99F的主要应用：

· 国防及商业通信系统

· 微波接收机

· 移动通信系统

· 电子探测设备