在市面上，光模块电源缓启动电路中使用比较多的是ON Semiconductor公司的NTJD4152PT1G 20V/0.88A带ESD防护功能的双通道P-MOS管，封装为SOT-363，因目前NTJD4152PT1G严重缺货及供货交期过长（48W以上），更多客户急需寻找一款可pin-pin兼容、产品性能相当、货期更好的双沟道P-MOS管做替换。

针对如上设计需求，本文推荐一款Central Semiconductor推出的同样带ESD防护功能的双通道P-MOS管CMKDM8005，其电性参数与NTJD4152PT1G电性参数对比参考如下表1所示。

表1：双通道P-MOS管CMKDM8005和NTZS3151PT1G电性参数对照表

通过如上电性参数对照表易知：

1、Central Semiconductor的双通道P-MOS管CMKDM8005具有更低的栅极电荷（低至1.2nC，其中Q_g是一个mos管从关断状态到饱和导通状态），更宽的操作温度范围（低温至-65℃）等技术优势。

2、不过，O公司的双通道P-MOS管NTJD4152PT1G在 大漏极电流（I_D=0.88A）、 大源极电流（I_S=0.48A）、导通电阻（R_DS(on)=215mΩ）等方面相对具有更好的特性参数。

下面再提供下双通道P沟道MOSFET CMKDM8005和NTZS3151PT1G内部功能框图和pin脚定义示意图，参考如下图1所示。

图1：双沟道P-MOS管CMKDM8005和NTZS3151PT1G内部功能框图和pin脚定义示意图

通过如上图示易知：

双通道P-MOS管CMKDM8005和NTJD4152PT1G两者pin脚定义完全一致，可实现pin-pin替代，同时在双通道P-MOS管的栅极（G极）-源极（S极）间均有一颗双向TVS管做耐压防护，可以提升产品的抗ESD能力。

 总结下CMKDM8005双通道P沟道MOSFET的器件优势：

1、  性能优势：可以参考表1中字体加粗的部分。

2、  货期优势：目前ON Semiconductor物料市场缺货严重，参考货期：48W 以上，而Central Semiconductor：参考货期:  19-22W；

3、  高可靠性：光模块 前三大，Finisar，Avago，富士康，恒宝通等都在用Central Semiconductor的CMKDM8005，产品的可靠性得到保障。

4、  现货样品：仓库有现货，可以满足客户的样品需求。