IPW60R070P6XKSA1 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPW60R070P6XKSA1
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 53.5A(Tc)
驱动电压( Rds On,Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 70毫欧 @ 20.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4.5V@ 1.72mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 100nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 4750pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(值) 391W(Tc)
工作温度 -55°C~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
公司简介:
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