制造商

Microsemi Corporation

制造商产品编号

JAN2N6782

包装散装

产品状态停产

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.5A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）610 毫欧 @ 3.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）8.1 nC @ 10 V

Vgs（大值）±20V

FET 功能-

功率耗散（大值）800mW（Ta），15W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-39

封装/外壳TO-205AF 金属罐

公司简介：

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