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晶体管 FET,MOSFET 单 FET,MOSFET NVGS5120PT1G
发布时间: 2023/8/31 15:30:11 | 47 次阅读
制造商
onsemi
制造商产品编号
NVGS5120PT1G
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A(Ta)
驱动电压(zui大 Rds On,zui小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(zui大值)
111 毫欧 @ 2.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(zui大值)
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(zui大值)
18.1 nC @ 10 V
Vgs(zui大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(zui大值)
942 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(zui大值)
600mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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