Micron 闪存 NAND04GW3B2DN6E
制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
NAND04GW3B2DN6E
一般信息
数据列表 NAND(04,08)G-(B2D,BxC);
标准包装
576
包装 托盘
零件状态 Digi-Key 停产
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 闪存 - NAND
存储容量 4Gb (512M x 8)
存储器接口 并联
写周期时间 - 字,页 25ns
访问时间 25ns
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C
~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
供应商器件封装 48-TSOP
Micron 闪存 NAND04GW3B2DN6E
公司简介:
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