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Micron 闪存 NAND04GW3B2DN6E
Micron 闪存 NAND04GW3B2DN6E
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Micron 闪存 NAND04GW3B2DN6E

型号:

NAND04GW3B2DN6E

品牌:

Micron

封装:

48-TSOP

批号:

20+

电压 - 供电:

2.7V ~ 3.6V

工作温度:

-40°C ~ 85°C(TA)

产品信息

Micron 闪存 NAND04GW3B2DN6E

制造商   

Micron Technology Inc.

制造商零件编号   

NAND04GW3B2DN6E

 

一般信息

数据列表       NAND(04,08)G-(B2D,BxC);

标准包装      576

包装      托盘 

零件状态       Digi-Key 停产

类别       集成电路(IC

产品族    存储器

系列       -

 

规格

存储器类型    非易失

存储器格式    闪存

技术       闪存 - NAND

存储容量       4Gb 512M x 8

存储器接口    并联

写周期时间 - 字,页  25ns

访问时间       25ns

电压 - 供电  2.7V ~ 3.6V

工作温度       -40°C ~ 85°CTA

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      48-TFSOP0.724"18.40mm 宽)

供应商器件封装    48-TSOP

Micron 闪存 NAND04GW3B2DN6E

 

公司简介:
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