单个 IPP60R190E6XKSA1
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPP60R190E6XKSA1
单个 IPP60R190E6XKSA1
包装管件
产品状态不适用于新设计
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20.2A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds
On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)190 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)3.5V @ 630μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)63 nC @ 10 V
Vgs(大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)1400 pF @ 100 V
FET 功能-
功率耗散(大值)151W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO220-3
封装/外壳TO-220-3
单个 IPP60R190E6XKSA1
公司简介:
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